三星电子二季度营业利润较一年前飙升约19倍，大幅超越市场预期，预计其季度营业利润将位居全球最高。
北京时间周二，三星在初步业绩报告中披露，今年4至6月营业利润预计达89.4万亿韩元（约合584亿美元），刷新季度历史记录，较上季度环比增长56%，分析师此前的平均预测为84.2万亿韩元。
同期营收预计达171万亿韩元，超出市场预估的169.2万亿韩元，并较上年同期增长约129%。公司计划于7月30日公布完整财报，届时将披露净利润及各业务部门分类数据。
三星电子的季度营业利润，已超过英伟达上季度535.36亿美元（约合82万亿韩元）的营业利润，使其成为全球季度营业利润最高的公司。继第一季度位列全球前三之后，三星如今已跃居榜首。
这一业绩有望在一定程度上缓解市场对AI算力投资可持续性的疑虑。全球半导体板块今年早些时候曾涨至历史高位，但近期因担忧竞争加剧、潜在产能过剩及巨额投资回报前景不明而承压震荡。
代工与逻辑芯片业务构成拖累尽管存储业务表现亮眼，三星整体业绩仍面临内部结构性压力。
分析师预计，公司代工及逻辑芯片（LSI）业务的亏损在本季度可能有所扩大，部分原因在于奖金费用按比例计入半导体部门整体成本。
今年5月，三星与芯片部门员工达成薪酬协议，将绩效奖金与营业利润挂钩，并规定在满足特定盈利指标的前提下，拨出半导体部门全年营业利润的10.5%用于特别奖金。
部分分析师表示，若未计提这笔拨备，三星的营业利润将进一步超出市场预期。
芯片价格大幅上涨，短缺延伸至传统存储推动三星业绩的核心逻辑在于存储芯片供应的持续紧张。
AI数据中心对高带宽存储（HBM）的旺盛需求促使制造商将产能向高端产品倾斜，由此引发传统DRAM和NAND存储芯片供给不足，推动价格全面上行。
据汇丰银行数据，今年4至6月，DRAM平均售价环比涨幅超过40%，NAND价格涨幅则超过50%。花旗研究的数据与此接近，显示同期DRAM和NAND均价分别环比上涨44%和53%。
分析师还指出，客户正越来越多地寻求签订较长期的供货协议，这进一步强化了市场对存储价格将维持高位的预期，并有利于三星等具备大规模产能的厂商。
英伟达CEO黄仁勋及OpenAI首席运营官Brad Lightcap等高管均曾公开表示，存储芯片供给不足正制约AI基础设施扩张的步伐。
分析师预计，这一短缺局面至少将持续至2027年，这为三星及竞争对手SK海力士和美光科技提供了相当可观的定价能力。
值得注意的是，HBM产能的快速扩张带来了"替代效应"。传统存储芯片的供应随之收紧，不仅影响智能手机、个人电脑等消费电子产品的生产成本，也令企业服务器市场承压。
三星与SK海力士主导韩国芯片扩张布局在股价表现上，三星今年以来累计涨幅约165%，但跑输竞争对手SK海力士约260%的涨幅。
两者差距主要源于产品结构差异。SK海力士的业务更集中于面向AI计算需求的高端存储芯片，而三星的产品组合则更为多元，横跨芯片与消费电子领域。
从国家战略层面来看，韩国政府将两家公司视为争夺全球AI领导地位的核心支柱。
华尔街见闻提及，三星集团与SK集团计划各在韩国西南部兴建两座芯片工厂，合计投资规模达800万亿韩元，以快速扩充产能。
韩国目标在五年内将存储芯片产能翻倍。三星已宣布2026年将投入逾700亿美元用于产能扩张与研发。
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